A bolsa terá duração de 24 meses, renovável por até dois períodos de 12 meses e a remuneração mensal é de R$ 4.508,10.

Este projeto envolve a modelagem e desenvolvimento de processos de nanolitografia que utilizem a técnica de nanoimpressão para a construção de FinFETs. Esta investigação envolverá a modelagem da interação elétron-sólido aplicada à nanolitografia por feixe de elétrons, o uso de elétron resistes de última geração, a caracterização de etapas de corrosão de silício para fabricação de nanodispositivos e a fabricação de nanocarimbos bem como de equipamentos para a sua realização.

É desejável que o candidato tenha sólida formação nas áreas de microeletrônica e interação elétron-matéria, bem como experiência no trabalho em salas limpas, especialmente em relação à caracterização de etapas litográficas e caracterização de filmes finos (elipsometria, RBS, AFM e XRD), emprego das técnicas de litografia por feixe de elétrons, corrosão por plasma e deposição de filmes finos. Os candidatos devem ter terminado o doutorado a menos de 5 anos.

Os candidatos devem submeter uma carta indicando seu interesse, o histórico de Pós-Graduação e seu Currículum Lattes atualizado ao Prof. João Antonio Martino (martino@lsi.usp.br). A seleção se baseará na documentação enviada pelos candidatos e, eventualmente, em entrevista.

As inscrições acompanhadas da documentação serão recebidas até 06 de março de 2009. O início das atividades deverá ocorrer em março/abril de 2009.