Estão abertas as inscrições (até 31 de maio de 2018) para E-Micro SP para a OFICINA USP de FABRICAÇÃO de CIRCUITOS INTEGRADOS MOS (Tecnologia SOI), curso oferecido no LSI/LME do Depto de Engenharia de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP. As inscrições são gratuitas e a divulgação dos candidatos aceitos: até 12 de junho. O curso será ministrado das 8h às 18hs no período de 23 a 27 de julho de 2018. O curso apresenta uma abordagem prática e abrangente sobre a fabricação de circuitos integrados MOS em tecnologia SOI. Nesse contexto, os estudantes participam (em Sala Limpa) da sequência completa de fabricação de um Circuito integrado (CI) teste com transistores, diodos, capacitores e inversores, e se envolvem na pratica, com processos de fotolitografia, oxidação, implantação iônica, difusão térmica e deposição por plasma de filmes isolantes e metálicos. O curso também inclui aulas relativas ao projeto do processo de fabricação e caracterização elétrica dos dispositivos fabricados. A tecnologia SOI MOSFET é sucessora da tecnologia MOS convencional e na atualidade é padrão de fabricação nas principais indústrias de microeletrônica do mundo, como a Samsung, IBM e STMicroelectronics. Os dispositivos SOI fabricados no curso são de tipo nMOSFET e apresentam como principal característica a utilização de portas auto alinhadas de silício policristalino, num processo de fabricação que emprega apenas 3 etapas de fotolitografia. O processo em questão foi totalmente desenvolvido na Universidade de São Paulo (USP) e as aulas serão realizadas nas dependências do Laboratório de Microeletrônica (LME) e Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Escola Politécnica (EP) da USP. A tecnologia apresentada permite a fabricação de transistores SOI nMOSFET de até 0,5 µm