JOÃO ANTONIO MARTINO
GANHADOR DO PRÊMIO Pe. LANDELL DE MOURA 2016

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CV Resumido
João Antonio Martino iniciou suas atividades em microeletrônica em 1982 na Escola Politécnica da Universidade de São Paulo onde tornou-se Mestre (1984), Doutor (1988) e Livre-Docente (1998) em Engenharia Elétrica (Microeletrônica). O pós-doutorado foi realizado em cooperação entre o IMEC (Interuniversity Microelectronic Center) na Universidade Católica de Leuven, Bélgica e a Universidade de São Paulo. Foi Professor Titular, Chefe do Departamento de Engenharia Elétrica e Coordenador dos Cursos de Engenharia Elétrica (Ênfases Eletrônica, Computadores e Telecomunicações) do Centro Universitário da FEI no período de 1996 a 2005. Implantou e coordenou do curso de mestrado em Engenharia Elétrica da FEI no período de 2005 a 2006. É Professor da Escola Politécnica desde 1992 e foi aprovado em primeiro lugar no concurso de Professor Titular do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos (PSI) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) em 2005. Foi o Chefe do Depto PSI/EPUSP (2009-2013) e Vice-Chefe (2007-2009). Foi Professor convidado da Universidade Católica de Leuven, Bélgica em 2003, 2008 e 2016. O seu campo de pesquisa em circuitos integrados inclui fabricação, caracterização elétrica e modelagem de dispositivos obtidos pelas tecnologias NMOS, CMOS e SOI CMOS com ênfase em transistores SOI avançados planares e de múltiplas portas (FinFET). Introduziu o estudo de dispositivos SOI no Brasil desde 1990, incluindo a proposta de um novo transistor SOI (GC SOI MOSFET) para aplicações analógicas em 2000 e a proposta/fabricação/patente de um novo transistor SOI planar reconfigurável (Back Enhanced: BE SOI MOSFET) para aplicações como transistor reversível (tipo p ou tipo n), sensor de luz e sensor biológico (Bio-FET). Coordenou e participou da equipe que fabricou o primeiro transistor 3D (FinFET) no Brasil em 2012. Na caracterização elétrica é dada ênfase especial ao estudo de dispositivos SOI em função da temperatura (80K a 700K) e sob a influência de radiação. Recentemente tem também estudado transistores avançados como UTBB SOI, nanofio de silício, nanofolha de silício e transistores de tunelamento (TFETs). É coautor/coeditor de 10 livros/anais. É autor e coautor de mais de 600 publicações (sendo 152 artigos completos publicados em revistas e 448 artigos completos apresentados em congressos). Concluiu a orientação de 52 alunos de pós-graduação, sendo 33 mestrados e 19 doutorados. É Senior Member do IEEE e Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-Brasil desde 2007. Tornou-se Distinguished Lecturer da EDS-IEEE desde fevereiro de 2008. É pesquisador Nível 1A do CNPq. Foi coordenador do Centro de Treinamento de São Paulo (CT-SP) para formação de projetistas de circuitos integrados do programa CI-Brasil na Escola Politécnica da USP de 2014 a 2020. Foi eleito coordenador do Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Escola Politécnica da USP em 2017. Foi eleito e participa do comitê assessor de microeletrônica do CNPq (CA-ME) desde outubro de 2015. Recebeu o Prêmio Padre Roberto Landell de Moura em 2016 da Sociedade Brasileira de Microeletrônica.

Conheça todos os premiados

2008 - Sergio Bampi
2009 - João Antônio Zuffo
2010 - Jacobus Swart
2011 - Altamiro Amadeu Susin
2012 - Henrique de Oliveira Miguel
2013 - Marcelo Soares Lubaszewski
2014 - Wilhelmus Adrianus Van Noije
2015 - Ricardo Augusto da Luz Reis
2016 - João Antonio Martino
2017 – Não ocorreu o processo de premiação.
2018 – Raimundo Carlos Silvério Freire
2019 – Armando Gomes da Silva Jr.
2020 – Não ocorreu o processo de premiação.
2021 – Henri Ivanov Boudinov.

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