HENRI IVANOV BOUDINOV
GANHADOR DO PRÊMIO Pe. LANDELL DE MOURA 2021

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CV Resumido
Henri Ivanov Boudinov é Graduado em Física pelo Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia (1982), Mestre em Física pelo Departamento de Física Universidade Estadual de Sófia (1983) e Doutor em Física pelo Instituto de Eletrônica, Academia das Ciências da Bulgária (1991). Realizou pós-doutorado na Australian National University, ANU, Camberra (2000). Na Bulgária trabalhou como pesquisador sênior na divisão de implantação iônica do Instituto de Microeletrônica na indústria de semicondutores, Botevgrad no período 1983-1992. Durante este período participou no desenvolvimento e produção de diversos dispositivos discretos (p-i-n fotodiodos, GaAs MESFET, VDMOS, Power MOSFET) e circuitos integrados de BJT. Foi docente da Universidade Técnica, TU, Bulgária. Em janeiro de 1993 iniciou sua atuação no Laboratório de Microeletrônica no Instituto de Física, UFRGS, Porto Alegre como Pesquisador Visitante Estrangeiro. Atualmente é professor titular do Instituto de Física da Universidade Federal do Rio Grande do Sul, onde, além de ser coordenador do Laboratório de Microeletrônica do IF-UFRGS, atua nos programas de Pós-Graduação em Microeletrônica e Física. Participou ativamente na criação e manutenção do Curso de Graduação de Engenharia Física e Curso de Pós-Graduação de Microeletrônica (PGMICRO). Tem experiência na área de Modificação de materiais com feixes de íons, com ênfase em semicondutores. Suas áreas de atuação profissional são: física de dispositivos semicondutores; processos tecnológicos; defeitos em semicondutores criados durante o processamento; síntese de novos materiais eletrônicos; medidas elétricas em micro e nanoestruturas; modelamento de dispositivos eletrônicos e eletrônica orgânica. As principais áreas de contribuições de pesquisa: - Modelamento dos defeitos criados por implantação iônica em Si e GaAs. - Ativação de dopantes e junções rasas em Si e SIMOX. - Isolação elétrica em semicondutores III-V, produzida por irradiação iônica. - Defeitos eletricamente ativos em estruturas metal-óxido-carbeto de silício. - Fotoluminescência e eletroluminescência de nano cristais de Si e Ge enterrados em dielétricos. - Dispositivos eletrônicos de materiais orgânicos. Tem desenvolvido diversos dispositivos e técnicas de fabricação de dispositivos semicondutores: - Sensor óptico de posicionamento bidimensional. – Tecnologia NMOS de Si. – Medidor de pH usando MOSFET. – Tecnologia CMOS de Si. Processo de litografia de materiais orgânicos através de plasma etching em ambiente de O 2 . – Diodo Schottky de SiC como detetor de partículas alfa em experimentos de RBS. – Sensor flexível de pressão e temperatura. – Tecnologia para fabricação de OFET. É autor e coautor de 120 artigos publicados em revistas internacionais arbitradas e 60 artigos completos publicados em anais de congressos. Já orientou 17 alunos de mestrado, 13 de doutorado e diversos alunos de iniciação científica e monografias de graduação. Participou, como avaliador, de mais de 150 bancas de pós-graduação e atua constantemente como revisor de periódicos. É membro da SBMICRO e membro sênior do IEEE desde 2001. Recebeu o Prêmio Padre Roberto Landell de Moura em 2021 da Sociedade Brasileira de Microeletrônica.

Conheça todos os premiados

2008 - Sergio Bampi
2009 - João Antônio Zuffo
2010 - Jacobus Swart
2011 - Altamiro Amadeu Susin
2012 - Henrique de Oliveira Miguel
2013 - Marcelo Soares Lubaszewski
2014 - Wilhelmus Adrianus Van Noije
2015 - Ricardo Augusto da Luz Reis
2016 - João Antonio Martino
2017 – Não ocorreu o processo de premiação.
2018 – Raimundo Carlos Silvério Freire
2019 – Armando Gomes da Silva Jr.
2020 – Não ocorreu o processo de premiação.
2021 – Henri Ivanov Boudinov.

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