HENRI IVANOV BOUDINOV
GANHADOR DO PRÊMIO Pe. LANDELL DE MOURA 2021
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CV Resumido
Henri Ivanov Boudinov é Graduado em Física pelo Departamento de Física
Universidade Estadual de Sófia (1982), Mestre em Física pelo Departamento de Física
Universidade Estadual de Sófia (1983) e Doutor em Física pelo Instituto de Eletrônica,
Academia das Ciências da Bulgária (1991). Realizou pós-doutorado na Australian
National University, ANU, Camberra (2000). Na Bulgária trabalhou como pesquisador
sênior na divisão de implantação iônica do Instituto de Microeletrônica na indústria de
semicondutores, Botevgrad no período 1983-1992. Durante este período participou no
desenvolvimento e produção de diversos dispositivos discretos (p-i-n fotodiodos, GaAs
MESFET, VDMOS, Power MOSFET) e circuitos integrados de BJT. Foi docente da
Universidade Técnica, TU, Bulgária. Em janeiro de 1993 iniciou sua atuação no
Laboratório de Microeletrônica no Instituto de Física, UFRGS, Porto Alegre como
Pesquisador Visitante Estrangeiro. Atualmente é professor titular do Instituto de Física
da Universidade Federal do Rio Grande do Sul, onde, além de ser coordenador do
Laboratório de Microeletrônica do IF-UFRGS, atua nos programas de Pós-Graduação
em Microeletrônica e Física. Participou ativamente na criação e manutenção do Curso
de Graduação de Engenharia Física e Curso de Pós-Graduação de Microeletrônica
(PGMICRO). Tem experiência na área de Modificação de materiais com feixes de
íons, com ênfase em semicondutores. Suas áreas de atuação profissional são: física
de dispositivos semicondutores; processos tecnológicos; defeitos em semicondutores
criados durante o processamento; síntese de novos materiais eletrônicos; medidas
elétricas em micro e nanoestruturas; modelamento de dispositivos eletrônicos e
eletrônica orgânica. As principais áreas de contribuições de pesquisa: - Modelamento
dos defeitos criados por implantação iônica em Si e GaAs. - Ativação de dopantes e
junções rasas em Si e SIMOX. - Isolação elétrica em semicondutores III-V, produzida
por irradiação iônica. - Defeitos eletricamente ativos em estruturas metal-óxido-carbeto
de silício. - Fotoluminescência e eletroluminescência de nano cristais de Si e Ge
enterrados em dielétricos. - Dispositivos eletrônicos de materiais orgânicos. Tem
desenvolvido diversos dispositivos e técnicas de fabricação de dispositivos
semicondutores: - Sensor óptico de posicionamento bidimensional. – Tecnologia
NMOS de Si. – Medidor de pH usando MOSFET. – Tecnologia CMOS de Si. Processo
de litografia de materiais orgânicos através de plasma etching em ambiente de O 2 . –
Diodo Schottky de SiC como detetor de partículas alfa em experimentos de RBS. –
Sensor flexível de pressão e temperatura. – Tecnologia para fabricação de OFET. É
autor e coautor de 120 artigos publicados em revistas internacionais arbitradas e 60
artigos completos publicados em anais de congressos. Já orientou 17 alunos de
mestrado, 13 de doutorado e diversos alunos de iniciação científica e monografias de
graduação. Participou, como avaliador, de mais de 150 bancas de pós-graduação e
atua constantemente como revisor de periódicos. É membro da SBMICRO e membro
sênior do IEEE desde 2001. Recebeu o Prêmio Padre Roberto Landell de Moura em
2021 da Sociedade Brasileira de Microeletrônica.
Conheça todos os premiados
2008 - Sergio Bampi
2009 - João Antônio Zuffo
2010 - Jacobus Swart
2011 - Altamiro Amadeu Susin
2012 - Henrique de Oliveira Miguel
2013 - Marcelo Soares Lubaszewski
2014 - Wilhelmus Adrianus Van Noije
2015 - Ricardo Augusto da Luz Reis
2016 - João Antonio Martino
2017 – Não ocorreu o processo de premiação.
2018 – Raimundo Carlos Silvério Freire
2019 – Armando Gomes da Silva Jr.
2020 – Não ocorreu o processo de premiação.
2021 – Henri Ivanov Boudinov
2022 – José Alexandre Diniz
2023 – Linnyer Beatrys Ruiz Aylon